令和5年春期試験問題 午前問11
問11解説へ
フラッシュメモリにおけるウェアレベリングの説明として，適切なものはどれか。
- 各ブロックの書込み回数がなるべく均等になるように，物理的な書込み位置を選択する。
- 記憶するセルの電子の量に応じて，複数のビット情報を記録する。
- 不良のブロックを検出し，交換領域にある正常な別のブロックで置き換える。
- ブロック単位でデータを消去し，新しいデータを書き込む。
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解説
ウェアレベリング(Wear Leveling)は、電子記憶媒体において、全体的にどのブロックも均等に使うように物理的な書込み位置を制御することです。フラッシュメモリのように書換え可能回数に制限がある記憶媒体では、同じブロックへの書込みと消去が集中するとそのブロックが先に不良となってしまいます。記憶媒体の寿命を延ばすために、このような制御が行われています。
- 正しい。ウェアレベリングの説明です。
- マルチレベルセル(Multi Level Cell)の説明です。これとは対照的に、1つのセルに1つのビットしか記録しない方式をシングルレベルセル(Single Level Cell)と言います。
- 不良ブロック管理におけるリアロケーションの説明です。
- ブロックアクセス方式の説明です。
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