平成23年秋期試験問題 午前問23
問23解説へ
LSIの故障メカニズムの一つであるESD(Electrostatic Discharge)破壊の説明として，適切なものはどれか。
- 機械的な力によって，配線が切断されてしまう現象
- 寄生サイリスタの導通によって，半導体素子が破壊されてしまう現象
- 静電気放電によって，半導体素子が破壊されてしまう現象
- 電流が過度に流れることによって，配線が切断されてしまう現象
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解説
ESD(Electrostatic Discharge,静電気放電)破壊は、静電気の放電によりデバイスが劣化，損傷してしまう現象です。ESDの発生原因には、帯電した人体の接触，デバイスを取り扱うマシンの帯電、およびデバイス自体の帯電などがあります。
PCのメモリを交換するときに、作業者の静電気を放電してから行わないとメモリが損傷してしまういうのもESD破壊の一例です。
PCのメモリを交換するときに、作業者の静電気を放電してから行わないとメモリが損傷してしまういうのもESD破壊の一例です。
- 物理的要因による断線です。
- ラッチアップの説明です。
- 正しい。ESD破壊の説明です。
- 過電流による断線です。
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