平成30年秋期試験問題 午前問10
問10解説へ
相変化メモリの説明として，適切なものはどれか。
- 一度だけ書込みが可能な不揮発性メモリ
- 結晶状態と非結晶状態の違いを利用して情報を記憶する不揮発性メモリ
- フリップフロップ回路で構成された揮発性メモリ
- リフレッシュ動作が必要な揮発性メモリ
広告
解説
相変化(そうへんか)メモリ(PCM:Phase Change Memory又はPRAM)は、カルコゲナイド系合金の結晶状態と非結晶状態(アモルファス状態)における電気抵抗の差を利用した不揮発性メモリです。2つの状態は電気的に移行可能なので内容の書き換えが可能です。DRAMに近い記憶密度を実現可能であり、DVD-RAMの基本材料としても用いられています。
- ROMの説明です。相変化メモリは内容の書き換えが可能です。
- 正しい。相変化メモリの説明です。
- SRAMの説明です。相変化メモリは不揮発性メモリです。
- DRAMの説明です。相変化メモリは不揮発性メモリです。
広告