平成30年春期試験問題 午前問10

NAND型フラッシュメモリに関する記述として,適切なものはどれか。

  • バイト単位で書込み,ページ単位で読出しを行う。
  • バイト単位で書込み及び読出しを行う。
  • ページ単位で書込み,バイト単位で読出しを行う。
  • ページ単位で書込み及び読出しを行う。
正解 問題へ
分野:テクノロジ系
中分類:コンピュータ構成要素
小分類:メモリ
解説
フラッシュメモリは、電気的に書き換え可能であり、電源を切っても記憶内容が消えない不揮発性のメモリです。NAND型フラッシュメモリは、USBメモリやSDカード及びSSD等の記憶媒体として使われているタイプで、NOR型フラッシュメモリよりも集積度に優れ、安価に大容量化できる特徴があります。

NAND型フラッシュメモリでは、データの書込み及び読出しはページ単位、データの消去はブロック単位(ページを複数まとめた単位)で行います。したがって「エ」が正解です。

Pagetop