メモリ (全72問中22問目)
No.22
NAND型フラッシュメモリに関する記述として，適切なものはどれか。
出典：平成30年春期 問10
- バイト単位で書込み，ページ単位で読出しを行う。
- バイト単位で書込み及び読出しを行う。
- ページ単位で書込み，バイト単位で読出しを行う。
- ページ単位で書込み及び読出しを行う。
分類
テクノロジ系 » コンピュータ構成要素 » メモリ
正解
エ
解説
フラッシュメモリは、電気的に書き換え可能であり、電源を切っても記憶内容が消えない不揮発性のメモリです。NAND型フラッシュメモリは、USBメモリやSDカード及びSSD等の記憶媒体として使われているタイプで、NOR型フラッシュメモリよりも集積度に優れ、安価に大容量化できる特徴があります。
NAND型フラッシュメモリでは、データの書込み及び読出しはページ単位、データの消去はブロック単位（ページを複数まとめた単位）で行います。したがって「エ」が正解です。
NAND型フラッシュメモリでは、データの書込み及び読出しはページ単位、データの消去はブロック単位（ページを複数まとめた単位）で行います。したがって「エ」が正解です。