メモリ (全72問中30問目)
No.30
フラッシュメモリに関する記述として，適切なものはどれか。
出典：平成28年秋期 問21
- 高速に書換えができ，CPUのキャッシュメモリなどに用いられる。
- 紫外線で全内容の消去ができる。
- 周期的にデータの再書込みが必要である。
- ブロック単位で電気的に内容の消去ができる。
- [出題歴]
- 基本情報技術者 H20秋期 問16
- 基本情報技術者 H23秋期 問25
- 基本情報技術者 H26春期 問21
- 基本情報技術者 H30春期 問22
分類
テクノロジ系 » コンピュータ構成要素 » メモリ
正解
エ
解説
フラッシュメモリは、電気的に書き換え可能であり、電源を切ってもデータが消えない半導体メモリです。区分的にはEEPROM(Electrically Erasable Programmable ROM)の一種ですが、1バイト単位で書き換えを行う従来のEEPROMとは異なり、フラッシュメモリは数十Kバイトから数Mバイトのブロック単位で書き換えを行います。
急激な低価格化の影響もあり、USBメモリやメモリーカードの内部に組み込まれる形で、スマートフォン、デジタルカメラ、デジタルオーディオプレーヤなどの記憶媒体として広く普及しています。
急激な低価格化の影響もあり、USBメモリやメモリーカードの内部に組み込まれる形で、スマートフォン、デジタルカメラ、デジタルオーディオプレーヤなどの記憶媒体として広く普及しています。
- SRAM(Static RAM)の説明です。フラッシュメモリは、HDDと比較すれば高速ですが、キャッシュメモリとして使用できるほど高速ではありません。
- UV-EPROM(紫外線消去型EPROM)の説明です。フラッシュメモリは電気的に書換えを行います。
- DRAM(Dynamic RAM)の説明です。フラッシュメモリは不揮発性メモリです。
- 正しい。フラッシュメモリはブロック単位で書き換えを行います。